廠 商：日本島津公司
型 號:AXIS ULTRA DLD

技術指標：

•X射線源： 15kV, 30mA(450W) 清潔的Ag 3d5/2光電子峰，強度單位: cps
•XPS成像空間分辨率<3μm
•紫外光電子能譜(UPS) 以表面清潔Ag4d在140 emV 分辨率下，靈敏度1,000,000 cps ，He I和 He II比例小于4：1
•離子散射能譜(ISS)以表面清潔Au在FWHW<12eV下，靈敏度12,000cps/nA
•低能量懸浮離子槍能量范圍：50eV~5000eV，Ar離子槍在Ta2O5刻蝕速率40nm/min@4keV，2.2nm/min@500eV
•掃描電子顯微鏡(SEM)場發射電子槍10kV，樣品電流5nA下，分辨率<100nm
•俄歇電子能譜測量Cu LMM峰在10nA束流，10kV束能，相對能量分辨率0.4%±0.05%下，靈敏度>50,000cps/nA，信噪比500：1
•測試溫度范圍：-150℃~600℃
•X射線能譜儀的元素分析范圍：除H、He兩種元素外的100多種元素（含量在0.1%以上）

主要用途：

用于定性及半定量分析材料表面元素，分析材料表面價態、逸出功，觀察材料表面元素分布形貌，在金屬、合金、半導體、無機物、有機物、各種薄膜等許多固體材料的研究中都有很多成功應用的實例，主要用途如下：

•固體樣品的元素成分進行定性、定量或半定量及價態分析,樣品表面的微區選點分析,元素成分的深度分析（角分辨方式和氬離子刻蝕方式）；
•固體樣品表面的組成、化學狀態分析，廣泛應用于元素分析、多相研究、化合物結構鑒定、富集法微量元素分析、元素價態鑒定；
•對氧化、腐蝕、摩擦、潤滑、燃燒、粘接、催化、包袱等微觀機理研究；
•分子生物化學以及三維剖析如界面及過渡層的研究等方面有所應用；
•反映出分子的外殼層分子軌道的特性，測試逸出功等。